TSM8N80CI C0G характеристики	Выбрать все
Производитель	Taiwan Semiconductor Corporation
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	ITO-220
Рассеивание мощности (Макс)	40.3W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	800V
Ток стока (Id) @ 25°C	8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.05 Ohm @ 4A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	41nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1921pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Taiwan Semiconductor Corporation
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	ITO-220
Рассеивание мощности (Макс)	40.3W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	800V
Ток стока (Id) @ 25°C	8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.05 Ohm @ 4A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	41nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1921pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (Max)	±30V

TSM8N80CI C0G

TSM8N80CI C0G характеристики